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연구자 DB RESEARCHER DB

연구자 정보

  • 성명김시준
  • 소속전기전자공학과
  • 세부전공반도체소자/회로
  • 연구분야반도체/디스플레이
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기술매칭 수요 접수 담당자 : 고경란 Tel : 033-250-6942 | E-mail : ko@kangwon.ac.kr

보유기술 (3건)

보유기술
순번 지재명권 등록년도
3 ARRAY TEST APPARATUS AND METHOD 2020
2 강유전체 박막의 제조방법 및 이에 의해 제조된 강유전체 박막 2022
1 METHOD FOR REPAIRING OXIDE THIN FILM AND OXIDE THIN-FILM DEVICE 2018

연구과제 (3건)

  • 2021년 서울대학교 산학협력단 차세대 강유전체 메모리 응용을 위한 (Hf,Zr)O2 박막의 어닐링 공정 최적화 및 특성 향상 연구
  • 2021년 한국연구재단(EZBARO) Hf0.5Zr0.5O2 박막 (<5 nm) 기반 저전압 구동 및 고신뢰성 차세대 강유전체 메모리 소자 연구
  • 2021년 (주)엑시콘 마이크로 LED의 소자 특성 분석

논문/저서 (26건)

  • 2019년 반도체/디스플레이 ACS COMBINATORIAL SCIENCE Realization of Spatially Addressable Library by a Novel Combinatorial Approach on Atomic Layer Deposition: A Case Study of Zinc Oxide
  • 2021년 반도체/디스플레이 ACS Applied Electronic Materials Extremely Low Leakage Threshold Switch with Enhanced Characteristics via Ag Doping on Polycrystalline ZnO Fabricated by Facile Electrochemical Deposition for an X-Point Selector
  • 2022년 반도체/디스플레이 ACS Applied Electronic Materials Relaxation Induced by Imprint Phenomena in Low-Temperature (400 degrees C) Processed Hf0.5Zr0.5O2-Based Metal-Ferroelectric-Metal Capacitors
  • 2020년 반도체/디스플레이 Information Display AMFPD를 위한 TFT 기초
  • 2019년 반도체/디스플레이 JOM Ferroelectric Hf0.5Zr0.5O2 Thin Films: A Review of Recent Advances
  • 2021년 반도체/디스플레이 ACS Applied Nano Materials Plasma-Enhanced Atomic-Layer Deposition of Nanometer-Thick SiNx Films Using Trichlorodisilane for Etch-Resistant Coatings
  • 2021년 반도체/디스플레이 AIP ADVANCES Nano-polycrystalline Ag-doped ZnO layer for steep-slope threshold switching selectors
  • 2021년 반도체/디스플레이 PHYSICA STATUS SOLIDI-RAPID RESEARCH LETTERS Low-Thermal-Budget Fluorite-Structure Ferroelectrics for Future Electronic Device Applications
  • 2021년 반도체/디스플레이 PHYSICA STATUS SOLIDI-RAPID RESEARCH LETTERS A Novel Combinatorial Approach to the Ferroelectric Properties in HfxZr1-xO2 Deposited by Atomic Layer Deposition
  • 2018년 반도체/디스플레이 ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES Investigation of the Physical Properties of Plasma Enhanced Atomic Layer Deposited Silicon Nitride as Etch Stopper
  • 2018년 반도체/디스플레이 ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES Boosting Visible Light Absorption of Metal-Oxide-Based Phototransistors via Heterogeneous In-Ga-Zn-O and CH3NH3PbI3 Films
  • 2019년 반도체/디스플레이 ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES Stress-Induced Crystallization of Thin Hf1-XZrXO2 Films: The Origin of Enhanced Energy Density with Minimized Energy Loss for Lead-Free Electrostatic Energy Storage Applications
  • 2020년 반도체/디스플레이 ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES Multifunctional, Room-Temperature Processable, Heterogeneous Organic Passivation Layer for Oxide Semiconductor Thin-Film Transistors
  • 2020년 반도체/디스플레이 MATERIALS Low Temperature Thermal Atomic Layer Deposition of Aluminum Nitride Using Hydrazine as the Nitrogen Source
  • 2020년 반도체/디스플레이 MATERIALS A Comprehensive Study on the Effect of TiN Top and Bottom Electrodes on Atomic Layer Deposited Ferroelectric Hf(0.5)Zr(0.5)O(2)Thin Films
  • 2018년 반도체/디스플레이 JOURNAL OF MATERIALS CHEMISTRY C All-sputtered oxide thin-film transistors fabricated at 150 degrees C using simultaneous ultraviolet and thermal treatment
  • 2020년 반도체/디스플레이 JOURNAL OF MATERIALS CHEMISTRY C High growth rate and high wet etch resistance silicon nitride grown by low temperature plasma enhanced atomic layer deposition with a novel silylamine precursor
  • 2020년 반도체/디스플레이 JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS Ozone based high-temperature atomic layer deposition of SiO2 thin films
  • 2022년 반도체/디스플레이 Journal of Vacuum Science and Technology A High wet-etch resistance SiO2 films deposited by plasma-enhanced atomic layer deposition with 1,1,1-tris(dimethylamino)disilane
  • 2018년 반도체/디스플레이 Ieee Electron Device Letters Robust SiNx/GaN MIS-HEMTs With Crystalline Interfacial Layer Using Hollow Cathode PEALD
  • 2022년 반도체/디스플레이 Ieee Electron Device Letters Highly Reliable Selection Behavior With Controlled Ag Doping of Nano-Polycrystalline ZnO Layer for 3D X-Point Framework
  • 2018년 반도체/디스플레이 Applied Physics Letters Low-voltage operation and high endurance of 5-nm ferroelectric Hf0.5Zr0.5O2 capacitors
  • 2018년 반도체/디스플레이 Applied Physics Letters Effect of film thickness on the ferroelectric and dielectric properties of low-temperature (400 degrees C) Hf0.5Zr0.5O2 films
  • 2019년 반도체/디스플레이 Applied Physics Letters Effect of hydrogen derived from oxygen source on low-temperature ferroelectric TiN/Hf0.5Zr0.5O2/TiN capacitors
  • 2021년 반도체/디스플레이 Applied Physics Letters Ferroelectric polarization retention with scaling of Hf0.5Zr0.5O2 on silicon
  • 2021년 반도체/디스플레이 Applied Physics Letters Low-thermal-budget (300 degrees C) ferroelectric TiN/Hf0.5Zr0.5O2/TiN capacitors realized using high-pressure annealing