연구자 정보
- 성명김시준
- 소속전기전자공학과
- 세부전공반도체소자/회로
- 연구분야반도체/디스플레이
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보유기술 (3건)
보유기술
순번 |
지재명권 |
등록년도 |
3 |
ARRAY TEST APPARATUS AND METHOD |
2020 |
2 |
강유전체 박막의 제조방법 및 이에 의해 제조된 강유전체 박막 |
2022 |
1 |
METHOD FOR REPAIRING OXIDE THIN FILM AND OXIDE THIN-FILM DEVICE |
2018 |
연구과제 (3건)
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2021년
서울대학교 산학협력단
차세대 강유전체 메모리 응용을 위한 (Hf,Zr)O2 박막의 어닐링 공정 최적화 및 특성 향상 연구
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2021년
한국연구재단(EZBARO)
Hf0.5Zr0.5O2 박막 (<5 nm) 기반 저전압 구동 및 고신뢰성 차세대 강유전체 메모리 소자 연구
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2021년
(주)엑시콘
마이크로 LED의 소자 특성 분석
논문/저서 (26건)
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2019년
반도체/디스플레이
ACS COMBINATORIAL SCIENCE
Realization of Spatially Addressable Library by a Novel Combinatorial Approach on Atomic Layer Deposition: A Case Study of Zinc Oxide
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2021년
반도체/디스플레이
ACS Applied Electronic Materials
Extremely Low Leakage Threshold Switch with Enhanced Characteristics via Ag Doping on Polycrystalline ZnO Fabricated by Facile Electrochemical Deposition for an X-Point Selector
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2022년
반도체/디스플레이
ACS Applied Electronic Materials
Relaxation Induced by Imprint Phenomena in Low-Temperature (400 degrees C) Processed Hf0.5Zr0.5O2-Based Metal-Ferroelectric-Metal Capacitors
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2020년
반도체/디스플레이
Information Display
AMFPD를 위한 TFT 기초
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2019년
반도체/디스플레이
JOM
Ferroelectric Hf0.5Zr0.5O2 Thin Films: A Review of Recent Advances
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2021년
반도체/디스플레이
ACS Applied Nano Materials
Plasma-Enhanced Atomic-Layer Deposition of Nanometer-Thick SiNx Films Using Trichlorodisilane for Etch-Resistant Coatings
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2021년
반도체/디스플레이
AIP ADVANCES
Nano-polycrystalline Ag-doped ZnO layer for steep-slope threshold switching selectors
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2021년
반도체/디스플레이
PHYSICA STATUS SOLIDI-RAPID RESEARCH LETTERS
Low-Thermal-Budget Fluorite-Structure Ferroelectrics for Future Electronic Device Applications
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2021년
반도체/디스플레이
PHYSICA STATUS SOLIDI-RAPID RESEARCH LETTERS
A Novel Combinatorial Approach to the Ferroelectric Properties in HfxZr1-xO2 Deposited by Atomic Layer Deposition
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2018년
반도체/디스플레이
ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES
Investigation of the Physical Properties of Plasma Enhanced Atomic Layer Deposited Silicon Nitride as Etch Stopper
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2018년
반도체/디스플레이
ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES
Boosting Visible Light Absorption of Metal-Oxide-Based Phototransistors via Heterogeneous In-Ga-Zn-O and CH3NH3PbI3 Films
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2019년
반도체/디스플레이
ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES
Stress-Induced Crystallization of Thin Hf1-XZrXO2 Films: The Origin of Enhanced Energy Density with Minimized Energy Loss for Lead-Free Electrostatic Energy Storage Applications
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2020년
반도체/디스플레이
ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES
Multifunctional, Room-Temperature Processable, Heterogeneous Organic Passivation Layer for Oxide Semiconductor Thin-Film Transistors
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2020년
반도체/디스플레이
MATERIALS
Low Temperature Thermal Atomic Layer Deposition of Aluminum Nitride Using Hydrazine as the Nitrogen Source
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2020년
반도체/디스플레이
MATERIALS
A Comprehensive Study on the Effect of TiN Top and Bottom Electrodes on Atomic Layer Deposited Ferroelectric Hf(0.5)Zr(0.5)O(2)Thin Films
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2018년
반도체/디스플레이
JOURNAL OF MATERIALS CHEMISTRY C
All-sputtered oxide thin-film transistors fabricated at 150 degrees C using simultaneous ultraviolet and thermal treatment
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2020년
반도체/디스플레이
JOURNAL OF MATERIALS CHEMISTRY C
High growth rate and high wet etch resistance silicon nitride grown by low temperature plasma enhanced atomic layer deposition with a novel silylamine precursor
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2020년
반도체/디스플레이
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
Ozone based high-temperature atomic layer deposition of SiO2 thin films
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2022년
반도체/디스플레이
Journal of Vacuum Science and Technology A
High wet-etch resistance SiO2 films deposited by plasma-enhanced atomic layer deposition with 1,1,1-tris(dimethylamino)disilane
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2018년
반도체/디스플레이
Ieee Electron Device Letters
Robust SiNx/GaN MIS-HEMTs With Crystalline Interfacial Layer Using Hollow Cathode PEALD
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2022년
반도체/디스플레이
Ieee Electron Device Letters
Highly Reliable Selection Behavior With Controlled Ag Doping of Nano-Polycrystalline ZnO Layer for 3D X-Point Framework
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2018년
반도체/디스플레이
Applied Physics Letters
Low-voltage operation and high endurance of 5-nm ferroelectric Hf0.5Zr0.5O2 capacitors
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2018년
반도체/디스플레이
Applied Physics Letters
Effect of film thickness on the ferroelectric and dielectric properties of low-temperature (400 degrees C) Hf0.5Zr0.5O2 films
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2019년
반도체/디스플레이
Applied Physics Letters
Effect of hydrogen derived from oxygen source on low-temperature ferroelectric TiN/Hf0.5Zr0.5O2/TiN capacitors
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2021년
반도체/디스플레이
Applied Physics Letters
Ferroelectric polarization retention with scaling of Hf0.5Zr0.5O2 on silicon
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2021년
반도체/디스플레이
Applied Physics Letters
Low-thermal-budget (300 degrees C) ferroelectric TiN/Hf0.5Zr0.5O2/TiN capacitors realized using high-pressure annealing